无压烧结碳化硅工艺,无压烧结碳化硅厂家

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碳化硅陶瓷具有诸多的性能,被广泛应于很多领域,碳化硅陶瓷的制备常用无压烧结法。
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无压烧结具有操作简单、成本低、可制备形状复杂和大尺寸的碳化硅部件,而且相对容易实现工业化生产等特点,因此无压烧结是碳化硅陶瓷制备中有前途的烧结方法。本实验采用无压烧结,在α-SiC粉体中添加不同含量粒度为1μm的β-SiC,烧结助剂为碳化硼,粘结剂为酚醛树脂,保护气氛为氩气,烧结温度为2010℃,烧结时间为40min。分析烧结体的性能,确定烧结体性能佳时的β-SiC添加量。实验结果表明:β-SiC添加量为10wt%时,烧结体体积密度高,可达3.128g/cm3。初步确定佳的β-SiC添加量为10wt%。
成本决定了，无压烧结很难取代反应烧结，不过无压烧结出的产品，表面更光滑、密度更高、强度也要比反应烧结的高，根据无压的特性，像密封件类，对表面要求严格的，无压烧结的产品已经取代了反应烧结产品。
化学成分一样，都是碳元素与硅元素一比一的物质的量组成，化学式都是SiC，无压烧结碳化硅是碳化硅的一种类型。之所以物理性质不同是因为晶体结构不同。
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